INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

ISZ113N10NM5LF2

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 100 V, 11.3 mΩ, 63 A in a PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max:  63.0A
Operating Temperature max:  175.0°C
Package:  PQFN 3.3 x 3.3
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  23.0nC
R[DS (on)](@10V) max:  11.3mΩ
库存数量:
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BSZ146N10LS5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package

I[Dpuls] max:  160.0A
Mounting:  SMD
P[tot] max:  52.0W
Pin Count:  8.0Pins
Polarity:  N
Q[G](typ @4.5V):  7.6nC
库存数量:
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IPD600N25N3G

分类:
数据:
I[Dpuls] max:  100.0A
R[th]:  1.1K/W
P[tot] max:  136.0W
V[DS] max:  250.0V
Q[G](typ @10V):  22.0nC
Package:  DPAK (TO-252)
库存数量:
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IPD130N10NF2S

分类:
数据:

简介: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in DPAK

I[D ](@25°C) max:  52.0A
I[D ] max:  52.0A
I[Dpuls] max:  208.0A
Mounting:  SMD
Operating Temperature max:  175.0°C
P[tot] max:  71.0W
库存数量:
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ISZ520N20NM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V in PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max:  26.0A
Operating Temperature max:  175.0°C
Package:  PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  9.9nC
R[DS (on)](@10V) max:  52.0mΩ
库存数量:
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ISZ143N13NM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max:  54.0A
I[Dpuls] max:  216.0A
Operating Temperature max:  175.0°C
Package:  PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  21.0nC
库存数量:
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ISZ230N10NM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 100 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max:  31.0A
I[D ] max:  31.0A
I[Dpuls] max:  124.0A
Mounting:  SMT
P[tot] max:  48.0W
Package:  PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
库存数量:
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IQE220N15NM5CG

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate package

I[D ](@25°C) max:  44.0A
I[Dpuls] max:  176.0A
Operating Temperature max:  175.0°C
P[tot] max:  100.0W
Package:  PQFN 3.3x3.3 Source-Down
Polarity:  N
库存数量:
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IRF150DM115

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数据:

简介: 150 V single N-channel OptiMOS™ MOSFET in DirectFET™ package

Operating Temperature max:  150.0°C
Package:  DirectFET
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  33.0nC
R[DS (on)](@10V) max:  11.3mΩ
V[DS] max:  150.0V
库存数量:
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ISZ080N10NM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 100 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max:  75.0A
I[D ] max:  75.0A
I[Dpuls] max:  300.0A
Mounting:  SMT
P[tot] max:  100.0W
Package:  PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
库存数量:
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