INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: SO-8
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W
Q[gd]: 10.0nC
R[thJA] max: 50.0K/W
| 库存数量: |
IRF7495
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: SO-8
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W
Q[gd]: 11.7nC
R[thJA] max: 50.0K/W
| 库存数量: |
IRFR3710Z
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
Q[gd]: 25.0nC
R[thJC] max: 1.05K/W
T[j] max: 175.0°C
| 库存数量: |
BSZ097N10NS5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3 package
R[th]: 1.8K/W
V[DS] max: 100.0V
P[tot] max: 69.0W
I[Dpuls] max: 248.0A
Q[G](typ @10V): 22.0nC
R[thJC] max: 1.8K/W
| 库存数量: |
Package: SO-8
T[j] max: 150.0°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W
| 库存数量: |
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
R[thJA] max: 50.0K/W
V[DS] max: 150.0V
Mounting: SMD
Package: SO-8
| 库存数量: |
IRF7820
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
Q[gd]: 8.7nC
V[DS] max: 200.0V
Mounting: SMD
Package: SO-8
| 库存数量: |
IRFH5015
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot] max: 250.0W
R[thJC] max: 0.5K/W
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 200.0A
R[th]: 1.0K/W
P[tot] max: 125.0W
V[DS] max: 150.0V
Q[G](typ @10V): 23.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 52.0A
R[th]: 3.3K/W
P[tot] max: 38.0W
V[DS] max: 150.0V
Q[G](typ @10V): 5.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |