INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
I[Dpuls] max: 61.0A
R[th]: 2.0K/W
P[tot] max: 62.5W
V[DS] max: 200.0V
Q[G](typ @10V): 9.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
IRF640N
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 200V Single N-Channel MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
T[j] max: 175.0°C
Mounting: THT
Polarity: N
P[tot] max: 150.0W
Q[gd]: 22.0nC
| 库存数量: |
IRF100B201
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
P[tot] max: 441.0W
V[DS] max: 100.0V
R[thJC] max: 0.34K/W
Package: TO-220
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 392.0A
R[th]: 0.9K/W
P[tot] max: 139.0W
V[DS] max: 120.0V
Q[G](typ @10V): 66.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 400.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 136.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 49.0nC
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 320.0A
R[th]: 1.2K/W
P[tot] max: 125.0W
V[DS] max: 100.0V
Q[G](typ @10V): 42.0nC
Package: TO-220
| 库存数量: |
IRF540Z
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
P[tot] max: 92.0W
Q[gd]: 15.0nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 20.0V
| 库存数量: |
IRFB4310
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
P[tot] max: 300.0W
Q[gd]: 62.0nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 20.0V
| 库存数量: |
IRF100B202
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
P[tot] max: 221.0W
Q[gd]: 23.0nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 20.0V
| 库存数量: |
IRFB38N20D
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 200V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
P[tot] max: 320.0W
R[thJC] max: 0.47K/W
V[DS] max: 200.0V
V[GS] max: 30.0V
| 库存数量: |