INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IPT60R120CM8

分类:
数据:

简介: 600 V CoolMOS™ 8 power transistor

I[D ](@25°C) max:  24.0A
I[Dpuls] max:  68.0A
Mounting:  SMT
Operating Temperature max:  150.0°C
Package:  TOLL
Polarity:  N
库存数量:
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IPW60R120CM8

分类:
数据:

简介: 600 V CoolMOS™ 8 power transistor

I[D ](@25°C) max:  23.0A
I[Dpuls] max:  68.0A
Mounting:  THT
Operating Temperature max:  150.0°C
Package:  TO247
Polarity:  N
库存数量:
询 价

IPT60R160CM8

分类:
数据:

简介: 600 V CoolMOS™ 8 power transistor

I[D ](@25°C) max:  19.0A
I[Dpuls] max:  51.0A
Mounting:  SMT
Operating Temperature max:  150.0°C
Package:  TOLL
Polarity:  N
库存数量:
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BGSA149M2N10

分类:
数据:

简介: Ultra low OFF capacitance antenna tuning SP4T

Switch Type:  SP4T
Control Interface:  MIPI 2.1
Size:  0.95 x 1.3 mm²
Frequency Range:  0.4 – 7.125 GHz
Halogen-free:  yes
R[ON]:  1.6Ω
库存数量:
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IDWD150G120C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max:  800.0A
I[R]:  80.0µA
P[tot] max:  1153.0W
Q[C]:  660.0nC
Qualification:  Industrial
R[thJC]:  0.1K/W
库存数量:
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IDWD75G120C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max:  440.0A
I[R]:  39.0µA
P[tot] max:  683.0W
Q[C]:  330.0nC
Qualification:  Industrial
R[thJC]:  0.17K/W
库存数量:
询 价

IDWD60G120C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max:  380.0A
I[R]:  30.0µA
P[tot] max:  577.0W
Q[C]:  280.0nC
Qualification:  Industrial
R[thJC]:  0.2K/W
库存数量:
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IDWD50G120C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max:  330.0A
I[R]:  26.0µA
P[tot] max:  500.0W
Q[C]:  223.0nC
Qualification:  Industrial
R[thJC]:  0.23K/W
库存数量:
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IGC033S10S1Q

分类:
数据:

简介: CoolGaN™ Automotive Transistor 100 V G1 in PQFN 3x5, 3.3 mΩ

Generation:  G1
Q[G]:  11.0nC
Mounting:  SMT
V[DS] max:  100.0V
R[DS (on)](typ):  2.4mΩ
Qualification:  Automotive
库存数量:
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IGB110S10S1Q

分类:
数据:

简介: CoolGaN™ Transistor 100 V G1 in PQFN 3x3, 11 mΩ

Qualification:  Automotive
Generation:  G1
Q[G]:  3.4nC
Mounting:  SMT
V[DS] max:  100.0V
R[DS (on)](typ):  9.4mΩ
库存数量:
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