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ONSEMI

BSS123W

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 71 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 200mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323

MMBT2222ALT1G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 225 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

SMMBT2222ALT1G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 225 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

MMBT2222AWT3G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）

MMBT2222ALT3G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

MMBT2222ATT3G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-75，SOT-416

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-75，SOT-416 供应商器件封装: SC-75，SOT-416

MMBT2222ATT1G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-75，SOT-416

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-75，SOT-416 供应商器件封装: SC-75，SOT-416

SMMBT2222ALT3G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

SMMBT2222AWT1G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）

NSVMMBT2222AM3T5G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 640 mW 表面贴装型 SOT-723

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 640 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-723 供应商器件封装: SOT-723