ONSEMI

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P PFC Mode: DCM Frequency Operation: Fixed Control Mode: Voltage Mode Topology: Step-Up fSW Typ (kHz): Up to 250 VCC Max (V): 20 Drive Cap. (mA): 500 / 800 UVLO (V): 9 - 15 Latch: Yes UVP: Yes Inhibition: Yes Package Type: SOIC-16 MSL Type: 1 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Channels: 2 Number of Switches: 4 Configuration: DPDT Icc Max (µA): 30 ron Max (Ω): 8 VCC Min (V): 1.5 VCC Max (V): 5 Package Type: X2QFN-18 MSL Type: 1 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $0.4279

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Channels: 3 Number of Switches: 8 Configuration: - Icc Max (µA): 1 ron Max (Ω): 150 VCC Min (V): 6 VCC Max (V): 18.5 Package Type: PDIP-42 / DIP-42S MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Type: Adjustable V(BR) Typ (V): 2.5 Tolerance (%): 1 IQ Typ (mA): - IR Min (mA): 0.0015 VF Max (V): 36 TA Min (°C): -25 TA Max (°C): 85 Package Type: SOT-89-3 MSL Type: 1 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Topology: Step-Down VIN Min (V): 4.5 VIN Max (V): 66 VO Max (V): 66 IO Max (mA): 1600 fSW Typ (kHz): 400 Package Type: TSSOP38 TEP 9.7x4.4 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Topology: Step-Down VIN Min (V): 4.5 VIN Max (V): 66 VO Max (V): 66 IO Max (mA): 1600 fSW Typ (kHz): 400 Package Type: TSSOP38 EP 9.7x4.4 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 225mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.8 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.5 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 21.5 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 360mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 225mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: - 封装/外壳: -