ONSEMI
FMBM5401-SB74001
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 700 mW 表面贴装型 SuperSOT™-6
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 60 @ 10mA，5V
功率 - 最大值: 700 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
FMBM5401
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 700 mW 表面贴装型 SuperSOT™-6
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 60 @ 10mA，5V
功率 - 最大值: 700 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
NTHL019N65S3H
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 650 V 75A（Tc） 625W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19.3 毫欧 @ 37.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 14.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 282 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15993 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 625W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
NTH4LN019N65S3H
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 650 V 75A（Tc） 625W（Tc） TO-247-4
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19.3 毫欧 @ 37.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 14.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 282 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15993 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 625W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4
封装/外壳: TO-247-4
NCP1075STAT3G
制造商: ONSEMI分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 开关电源电路
数据:
简介: 离线转换器 反激 拓扑 65kHz SOT-223（TO-261）
输出隔离: 隔离
内部开关: 是
电压 - 击穿: 700V
拓扑: 反激
电压 - 启动: 8.2 V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 6.3V ~ 10V
占空比: 68%
频率 - 开关: 65kHz
功率 (W): 19 W
故障保护: 限流，过载，超温，过压，短路
控制特性: -
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223（TO-261）
安装类型: 表面贴装型