ONSEMI

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 1.5 W 频率 - 跃迁: 130MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223（TO-261）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 1.5 W 频率 - 跃迁: 130MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223（TO-261）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 1.5 W 频率 - 跃迁: 130MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223（TO-261）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 1.5 W 频率 - 跃迁: 140MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼 封装/外壳: 3-WDFN 祼焊盘 供应商器件封装: 3-WDFNW（2x2）