MICROCHIP TECHNOLOGY
1N4740AGE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740AGE3TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N4740AURTR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB
1N4740AUR-1
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB（MELF，LL41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB（MELF，LL41）
1N4740AUR-1TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB（MELF，LL41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB（MELF，LL41）
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: MOSFET（N 沟道，P 沟道）
电压 - 供电: 4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 1.5A，1.5A
输入类型: 反相
上升/下降时间（典型值）: 30ns，30ns
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm）
供应商器件封装: 8-PDIP
1N5231BTR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
SMCJ43CAE3TR13
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
简介: 69.4V 夹子 21.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 43V
电压 - 击穿（最小值）: 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
MSMCJ43CA
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 69.4V 夹子 21.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 43V
电压 - 击穿（最小值）: 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
MSMCJ43CAE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 69.4V 夹子 21.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 43V
电压 - 击穿（最小值）: 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）