MICROCHIP TECHNOLOGY
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电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
| 库存数量: |
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: MOSFET(N 沟道,P 沟道)
电压 - 供电: 4.5V ~ 18V
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43V
电压 - 击穿(最小值): 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43V
电压 - 击穿(最小值): 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43V
电压 - 击穿(最小值): 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
| 库存数量: |