MICROCHIP TECHNOLOGY
SY604JC
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 其他数字集成电路
数据:
简介: 延迟线 IC 可编程 255 抽头 4ns ~ 40ns 28-LCC（J 形引线）
抽头/步数: 255
功能: 可编程
延迟到第 1 抽头: 4ns
抽头增量: 15.7 ps
可用总延迟: 4ns ~ 40ns
独立延迟数: 1
电压 - 供电: 4.2V ~ 5.7V
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 28-LCC（J 形引线）
供应商器件封装: 28-PLCC（11.48x11.48）
1N5239BTR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
AT89S51-24AI
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
数据:
简介: 8051 89S 微控制器 IC 8 位 24MHz 4KB（4K x 8） 闪存 44-TQFP（10x10）
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: 8051
内核规格: 8 位
速度: 24MHz
连接能力: UART/USART
外设: WDT
I/O 数: 32
程序存储容量: 4KB（4K x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 128 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 4V ~ 5.5V
数据转换器: -
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 44-TQFP（10x10）
封装/外壳: 44-TQFP
JANTX1N4122UR-1
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 36 V 500 mW ±5% 表面贴装型 DO-213AA
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 36 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 nA @ 27.4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500/435
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
JANTX1N4122UR-1TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 36 V 500 mW ±5% 表面贴装型 DO-213AA
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 36 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 nA @ 27.4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500/435
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
CDLL4148E3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 DO-213AA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C
CDLL4148
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 DO-213AA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
CDLL4148TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 DO-213AA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
CDLL4148E3TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 DO-213AA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C
1N4740AUR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB