NEXPERIA USA INC.

74HCT573D,653

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类:

简介: D 型透明锁存器 1 通道 8：8 IC 三态 20-SO

逻辑类型: D 型透明锁存器电路: 8：8 输出类型: 三态电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 独立电路: 1 延迟时间 - 传播: 17ns 电流 - 输出高、低: 6mA，6mA 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装: 20-SO

74HCT573D-Q100,118

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类:

简介: D 型透明锁存器 1 通道 8：8 IC 三态 20-SO

逻辑类型: D 型透明锁存器电路: 8：8 输出类型: 三态电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 独立电路: 1 延迟时间 - 传播: 17ns 电流 - 输出高、低: 6mA，6mA 工作温度: -40°C ~ 125°C 等级: 汽车级资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装: 20-SO

74LVC32AD,118

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路

简介: 或门 IC 4 通道 14-SO

逻辑类型: 或门电路数: 4 输入数: 2 特性: - 电压 - 供电: 1.2V ~ 3.6V 电流 - 静态（最大值）: 40 µA 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 逻辑电平 - 低: 0.7V ~ 0.8V 逻辑电平 - 高: 1.7V ~ 2V 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 3.8ns @ 3.3V，50pF 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 14-SO 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

74HCT4052D,118

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 模拟开关电路

简介: 2 电路 IC 开关 4：1 150 欧姆 16-SO

开关电路: SP4T 多路复用器/解复用器电路: 4：1 电路数: 2 导通电阻（最大值）: 150 欧姆通道至通道匹配 (ΔRon): 6 欧姆电压 - 电源，单 (V+): 4.5V ~ 5.5V 电压 - 供电，双 (V±): ±1V ~ 5V 开关时间 (Ton, Toff)（最大值）: 60ns，48ns -3db 带宽: 180MHz 电荷注入: - 沟道电容 (CS(off)，CD(off)): 3.5pF 电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）: 2µA 串扰: -60dB @ 1MHz 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装: 16-SO

HEF4528BT,653

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 时基电路

简介: 单稳态多谐振荡器 35 ns 16-SO

逻辑类型: 单稳态独立电路: 2 施密特触发器输入: 无传播延迟: 35 ns 电流 - 输出高、低: - 电压 - 供电: 4.5 V ~ 15.5 V 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装: 16-SO

BZT52-C68X

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 350 mW ±5.9% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V 容差: ±5.9% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 160 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 47.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BUK9Y40-55B,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 26A（Tc） 59W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11 nC @ 5 V Vgs（最大值）: ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 59W（Tc）工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳: SC-100，SOT-669

BST82,215

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 190mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 欧姆 @ 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 40 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 830mW（Tc）工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

PESD5V0U5BF,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 夹子 Ipp TVS - 二极管表面贴装型 6-XSON，SOT886（1.45x1）

类型: 齐纳双向通道: 5 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大）电压 - 击穿（最小值）: 5.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: - 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): - 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: 2.9pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TA）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 6-XFDFN 供应商器件封装: 6-XSON，SOT886（1.45x1）

BZT52-C30X

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 350 mW ±6.7% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±6.7% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123