NEXPERIA USA INC.
1N4746A,113
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
简介: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-41
TDZ12J,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90,SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
BZX84W-C43X
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
简介: 二极管 - 齐纳 43 V 275 mW ±5% 表面贴装型 SOT-323
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 43 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 275 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 150 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 30.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
1PS79SB40,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 40 V 120mA 表面贴装型 SOD-523
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 120mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V,1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
工作温度 - 结: 150°C(最大)
1PS79SB40-QX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 40 V 120mA 表面贴装型 SOD-523
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 120mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 380 mV @ 1 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V,1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
工作温度 - 结: 150°C
逻辑类型: 与非门
电路数: 3
输入数: 3
特性: -
电压 - 供电: 2V ~ 6V
电流 - 静态(最大值): 2 µA
电流 - 输出高、低: 5.2mA,5.2mA
逻辑电平 - 低: 0.5V ~ 1.8V
逻辑电平 - 高: 1.5V ~ 4.2V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 16ns @ 6V,50pF
工作温度: -40°C ~ 125°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 14-SO
封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 三态
元件数: 1
每个元件位数: 8
功能: 串行至并行,串行
电压 - 供电: 2V ~ 6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 16-SO
逻辑类型: 缓冲器,非反向
元件数: 6
每个元件位数: 1
输入类型: -
输出类型: 推挽式
电流 - 输出高、低: 5.2mA,5.2mA
电压 - 供电: 2V ~ 6V
工作温度: -40°C ~ 125°C(TA)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 16-SO
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 5V(最大)
电压 - 击穿(最小值): 5.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 14V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲: 130W
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: 35pF @ 1MHz
工作温度: 150°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 5V(最大)
电压 - 击穿(最小值): 5.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 14V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲: 130W
电源线路保护: 无
应用: 电信
不同频率时电容: 35pF @ 1MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TA)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商器件封装: SOD-323