DIODES INCORPORATED
ZXCT199QA3DW-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器
数据:
简介: 电流检测 放大器 1 电路 满摆幅 SOT-363
放大器类型: 电流检测
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
压摆率: 0.5V/µs
-3db 带宽: 14 kHz
电流 - 输入偏置: 28 µA
电压 - 输入补偿: 5 µV
电流 - 供电: 65µA
电压 - 跨度（最小值）: 2.7 V
电压 - 跨度（最大值）: 26 V
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
ZXCT199QA2DW-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器
数据:
简介: 电流检测 放大器 1 电路 满摆幅 SOT-363
放大器类型: 电流检测
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
压摆率: 0.5V/µs
-3db 带宽: 30 kHz
电流 - 输入偏置: 28 µA
电压 - 输入补偿: 5 µV
电流 - 供电: 65µA
电压 - 跨度（最小值）: 2.7 V
电压 - 跨度（最大值）: 26 V
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
ZXCT199QC2DW-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器
数据:
简介: 电流检测 放大器 1 电路 满摆幅 SOT-363
放大器类型: 电流检测
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
压摆率: 0.5V/µs
-3db 带宽: 30 kHz
电流 - 输入偏置: 28 µA
电压 - 输入补偿: 5 µV
电流 - 供电: 65µA
电压 - 跨度（最小值）: 2.7 V
电压 - 跨度（最大值）: 26 V
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
功能: 电流监控器
感应方法: 高/低端
精度: ±0.5%
电压 - 输入: 2.7V ~ 26V
电流 - 输出: -
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
DMP3036SFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.7A（Ta） 950mW（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1931 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
DMC3730UFL3-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 30V 1.1A，700mA 390mW 表面贴装型 X2-DFN1310-6（B 类）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.1A，700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 65.9pF @ 25V
功率 - 最大值: 390mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFDFN 祼焊盘
供应商器件封装: X2-DFN1310-6（B 类）
DMP3036SFG-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.7A（Ta） 950mW（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1931 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
DMP3035SFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta） 950mW（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1633 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN