DIODES INCORPORATED

SMBJ18CAQ-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: ESD保护二极管/TVS二极管 600W Transient Voltage Suppressor

BC817-25FSWQ-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC817-25-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR

BC817-25Q-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor

BC817-25FHWQ-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor U-DFN1110A-3/SWP T&R 5K

BC817-25W-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANS

BC817-25-7-F-W

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

BC817-25FSW-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 500 mW 表面贴装,可润湿侧翼 U-DFN1412-3/SWP(A 型)

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼 封装/外壳: 3-UDFN 供应商器件封装: U-DFN1412-3/SWP(A 型)

BC817-25FHW-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 460 mW 表面贴装,可润湿侧翼 U-DFN1110-3(SWP)(A 型)

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 460 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: - 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼 封装/外壳: 3-PowerUDFN 供应商器件封装: U-DFN1110-3(SWP)(A 型)

BC817-25-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3