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DIODES INCORPORATED

S1G-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: 整流器 400V 1A

ES1G-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 整流器 1.0A 400V

RS1G-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: 整流器 1.0A 400V

US1G-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 整流器 400V 1A

DMP4015SPSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47.5 nC @ 5 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4234 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.3W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMP34M4SPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 135A（Tc） 1.5W PowerDI5060-8

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 135A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 127 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3775 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.5W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMP2003UPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 150A（Tc） 1.4W PowerDI5060-8

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.2 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 177 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8352 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.4W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMC1018UPD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 12V，20V 9.5A，6.9A 2.3W 表面贴装型 PowerDI5060-8

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 12V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A，6.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30.4nC @ 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1525pF @ 6V 功率 - 最大值: 2.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8

DMC1016UPD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 12V，20V 9.5A，8.7A 2.3W 表面贴装型 PowerDI5060-8

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 12V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A，8.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32nC @ 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1454pF @ 6V 功率 - 最大值: 2.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8

DMP3028LPSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 21A（Tc） 1.28W PowerDI5060-8

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 28 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1372 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.28W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN