DIODES INCORPORATED
DMP3010LPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 36A（Ta） 2.18W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 126.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6234 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.18W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMP2002UPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8（K 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.9 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 585 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12826 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8（K 类）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMC1015UPD-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 12V 9.5A，6.9A 2.3W 表面贴装型 PowerDI5060-8
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A，6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1495pF @ 6V
功率 - 最大值: 2.3W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PowerDI5060-8
DMP3012LPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 13.2A（Ta） 1.29W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6807 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.29W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMPH1006UPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 12 V 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 124 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6334 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.2W
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
ZXMP10A18GTA
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 150 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1055 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-3
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
DMP6050SPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 60 V 5.7A（Ta） 1.3W PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2163 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.3W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 50A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4234 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMP3007SPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 90A（Tc） 2.7W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 64.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2826 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMPH1006UPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 12 V 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 124 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6334 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.2W
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN