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DIODES INCORPORATED

DMP22M2UPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8（K 类）

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 476 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12826 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8（K 类） 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMC1017UPD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 12V 13A（Ta），9.4A（Ta） 2.3W 表面贴装型 PowerDI5060-8

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道互补型 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），9.4A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V，32 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18.6nC @ 4.5V，23.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1787pF @ 6V，2100pF @ 6V 功率 - 最大值: 2.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8

DMPH3010LPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 60A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 139 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6807 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMPH3010LPSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 60A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 139 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6807 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMPH4015SPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 50A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 91 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4234 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMC4047LSD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 40V 7A，5.1A 1.3W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A，5.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.1nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060pF @ 20V 功率 - 最大值: 1.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

ZXMC3F31DN8TA

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 6.8A，4.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A，4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.9nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 608pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.8W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMC4029SSD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 40V 9A（Ta），6.5A（Ta） 1.8W（Ta） 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道互补型 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），6.5A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.8nC @ 4.5V，10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060pF @ 20V，1154pF @ 20V 功率 - 最大值: 1.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMC4029SSDQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 40V 9A（Ta），6.5A（Ta） 1.8W（Ta） 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道互补型 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），6.5A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.8nC @ 4.5V，10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060pF @ 20V，1154pF @ 20V 功率 - 最大值: 1.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMG9933USD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 20V 4.6A 1.15W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 608.4pF @ 6V 功率 - 最大值: 1.15W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO