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DIODES INCORPORATED

DMP3028LSD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 6A 1.3W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.9nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1241pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMP6110SSS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 60 V 4.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.4 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1030 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SO 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

DMC4015SSD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 40V 8.6A，6.2A 1.2W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.6A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 40nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1810pF @ 20V 功率 - 最大值: 1.2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMP31D7LVQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 620mA（Ta） 500mW（Ta） 表面贴装型 SOT-563

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 620mA（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 900mOhm @ 420mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.8nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 19pF @ 15V 功率 - 最大值: 500mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SOT-563

DMP6110SSSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 60 V 3.3A（Ta），7.8A（Tc） 1.5W（Ta） 8-SO

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A（Ta），7.8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.4 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1030 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SO 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

DMP3037LSSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 5.8A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.3 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 969 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SO 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

DMC3026LSD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 8.2A（Ta），8A（Ta） 1.6W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道互补型 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.2A（Ta），8A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 6A，10V，28 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6nC @ 4.5V，10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 641pF @ 15V，1241pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.6W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMC3028LSDXQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 5.5A，5.8A 1.2W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 27 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13.2nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 641pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMP31D7LVQ-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 620mA（Ta） 500mW（Ta） 表面贴装型 SOT-563

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 620mA（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 900mOhm @ 420mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.8nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 19pF @ 15V 功率 - 最大值: 500mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SOT-563

DMC3025LDV-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 15A（Tc） 表面贴装型 PowerDI3333-8（UXC 类）

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 500pF @ 15V，1188pF @ 15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8（UXC 类）