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DIODES INCORPORATED

DMP3056LSSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 4.9A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.3 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 969 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SO 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

DMC3016LNS-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 9A（Ta），6.8A（Ta） 1.3W（Ta） 表面贴装型 PowerDI3333-8

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道互补型 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），6.8A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1184pF @ 15V，1188pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.3W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8

DMC3028LSDX-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 5.5A，5.8A 1.2W 表面贴装型 8-SO

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 27 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13.2nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 641pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

DMC2700UDM-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 20V 1.34A，1.14A 1.12W 表面贴装型 SOT-26

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.34A，1.14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.74nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 60.67pF @ 16V 功率 - 最大值: 1.12W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26

DMN61D8LVTQ-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 60V 630mA 820mW 表面贴装型 TSOT-26

技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.74nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12.9pF @ 12V 功率 - 最大值: 820mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26

DMN6068LK3-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 6A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 68 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.3 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 502 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.12W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252-3 封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

DMN3016LK3-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 12.4A（Ta） 1.6W（Ta） TO-252-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.1 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1415 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252-3 封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

DMN3016LSS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.1 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1415 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SO 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

DMT6009LCT

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 60 V 37.2A（Tc） 2.2W（Ta），25W（Tc） TO-220-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37.2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33.5 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1925 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.2W（Ta），25W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3

DML3009LDC-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
数据:

简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 20A V-DFN3030-12（B 类）

开关类型: 电源开关 输出数: 1 比率 - 输入:输出: 1：1 输出配置: 高端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压 - 负载: 0.5V ~ 13.5V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V 电流 - 输出（最大值）: 20A 导通电阻（典型值）: 6.1 毫欧 输入类型: 非反相 特性: - 故障保护: 短路，热关断，UVLV 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: V-DFN3030-12（B 类） 封装/外壳: 12-VFDFN 祼焊盘