DIODES INCORPORATED
DMT6005LSS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2962 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
DMN4040SK3-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 6A（Ta） 1.71W（Ta） TO-252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 945 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.71W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMN2005UFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 18.1A（Tc） 1.05W（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 164 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6495 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.05W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
DMT3006LFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 16A（Ta），55.6A（Tc） 27.8W（Tc） POWERDI3333-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Ta），55.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1320 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 27.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
DMT8012LSS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 9.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16.5 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1949 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
DMTH8012LPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 10A（Ta），72A（Tc） 2.6W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2051 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
FN5000121
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 振荡器和压电晶体 / 振荡器 / 石英晶体振荡器
数据:
简介: 振荡器 50 MHz LVCMOS XO（标准） 3.3V 启用/禁用 4-SMD，无引线
基本谐振器: 晶体
类型: XO（标准）
频率: 50 MHz
功能: 启用/禁用
输出: LVCMOS
电压 - 供电: 3.3V
频率稳定性: ±50ppm
绝对牵引范围 (APR): -
工作温度: -20°C ~ 70°C
电流 - 供电（最大值）: 18mA
等级: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-SMD，无引线
供应商器件封装: 4-SMD（7x5）
大小 / 尺寸: 0.276 长 x 0.197 宽（7.00mm x 5.00mm）
高度 - 安装（最大值）: 0.071（1.80mm）
1N4148-T
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 75 V 150mA 通孔 DO-35
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
FES1GE
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 F1A（DO219AA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 14pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AA
供应商器件封装: F1A（DO219AA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C