DIODES INCORPORATED
SMCJ51CA-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
简介: 82.4V 夹子 18.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMC
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 51V
电压 - 击穿（最小值）: 56.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 82.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 18.2A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: SMC
SMCJ51CA-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
简介: 82.4V 夹子 18.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMC
类型: 齐纳
双向通道: 2
电压 - 反向断态（典型值）: 51V
电压 - 击穿（最小值）: 56.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 82.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 18.2A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 是
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: SMC
类型: MHz 晶体
频率稳定性: -
频率容差: -
负载电容: -
工作模式: 基谐
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-SMD，无引线
供应商器件封装: 4-SMD（5x3.2）
大小 / 尺寸: 0.197 长 x 0.126 宽（5.00mm x 3.20mm）
高度 - 安装（最大值）: 0.043（1.10mm）
BAS40-04T-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 SOT-523
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-523
供应商器件封装: SOT-523
BAS40-04Q-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04Q-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04T-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 SOT-523
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-523
供应商器件封装: SOT-523
