BOM上传  搜 索
热门： SMBJ180A P6SMBJ180AJ ASMBJ180A-HF AUSMBJ180A-HF 1924580-1
在线客服

DIODES INCORPORATED

DMG1012T-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: MOSFET 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET

B130B-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 肖特基二极管与整流器 30V 1A

DT2042-04TS-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: ESD保护二极管/TVS二极管 4-Ch Low Cap TVS 12pF 5.5Vrwm 6Vbr

DMG9926USD-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: MOSFET MOSFET,N-CHANNEL

DMTH6009LPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 11.76A（Ta），89.5A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.76A（Ta），89.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1925 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMTH4007SPSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 15.7A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 41.9 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2082 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMTH3002LPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 1.2W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 77 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5000 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta），136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMTH6010LPSQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta），100A（Tc） 2.6W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 41.3 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2090 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta），136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMTH10H4M6SPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 20A（Ta），100A（Tc） 2.7W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4327 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta），136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN

DMTH6009SPS-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 12.9A（Ta），89.5A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.9A（Ta），89.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29.3 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1572 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerDI5060-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN