DIODES INCORPORATED
DMTH6009LPSW-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 60 V 11.76A（Ta），89.5A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8（UX 类）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.76A（Ta），89.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1925 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: PowerDI5060-8（UX 类）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BAT54AW-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阳极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 SC-70，SOT-323
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
BAT54A-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阳极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAT54ADW-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 2 对共阳极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
二极管配置: 2 对共阳极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
BAT54AWQ-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
简介: 二极管阵列 1 对共阳极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 SC-70，SOT-323
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
BAT54AQ-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阳极 30 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3