BOM上传  搜 索
热门： SMBJ180A AUSMBJ180A-HF P6SMBJ180AJ ASMBJ180A-HF TLE4269G
在线客服

INFINEON TECHNOLOGIES

BSS308PEL6327HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 11µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 500 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-SOT23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BC817-25B5003

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 170MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BC817-25WE6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 170MHz 250 mW 表面贴装型 PG-SOT323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: PG-SOT323

BC817-25WE6433

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 170MHz 250 mW 表面贴装型 PG-SOT323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: PG-SOT323

BC817-25E6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 170MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BC817-25E6433

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 170MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

IPB016N06L3GATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB016N06L3G

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB019N06L3GATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPDQ60T017S7XTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 600 V 113A（Tc） 500W（Tc） PG-HDSOP-22-1

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 113A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 29A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.88mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 196 nC @ 12 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7370 pF @ 300 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1 封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块