INFINEON TECHNOLOGIES
AIMZH120R060M1TXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1200 V 38A（Tc） 197W（Tc） PG-TO247-4-11
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 13A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 880 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 197W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-11
封装/外壳: TO-247-4
IMBG40R011M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 400 V 13.4A（Ta），133A（Tc） 3.8W（Ta），429W（Tc） PG-TO263-7-11
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.4A（Ta），133A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 37.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 85 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3770 pF @ 200 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），429W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-11
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SPB21N50C3ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 560 V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 208W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IMBG65R072M1HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 140W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 94 毫欧 @ 13.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 140W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW65R072M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 650 V 26A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3-41
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 94 毫欧 @ 13.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
ISA220280C03LMDSXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 30V 6.3A（Ta），8.4A（Tc），6.1A（Ta），8.1A（Tc） 1.4W（Ta），2.5W（Tc） 表面贴装型 PG-DSO-8-920
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.3A（Ta），8.4A（Tc），6.1A（Ta），8.1A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 8.4A，10V，28 毫欧 @ 8.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.4W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: PG-DSO-8-920
IPD80R4K5P7ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 800 V 1.5A（Tc） 13W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 옴 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 80 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 13W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
