INFINEON TECHNOLOGIES
IMZA120R053M2HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1200 V 38A（Tc） 182W（Tc） PG-TO247-4-8
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 69 毫欧 @ 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1010 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 182W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-8
封装/外壳: TO-247-4
IMLT40R011M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 400 V 144A（Tc） 429W（Tc） PG-HDSOP-16-8
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 144A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 37.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 85 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2900 pF @ 200 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 429W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-16-8
封装/外壳: 16-PowerSOP 模块
IMZA40R011M2HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 400 V 112A（Tc） 341W（Tc） PG-TO247-4-8
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 37.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 85 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2900 pF @ 200 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 341W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-8
封装/外壳: TO-247-4
AIMW120R060M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1200 V 36A（Tc） 150W（Tc） PG-TO247-3-41
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 5.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
IPU80R4K5P7AKMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 800 V 1.5A（Tc） 13W（Tc） PG-TO251-3-21
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 옴 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 250 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 13W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO251-3-21
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IPD19DP10NMATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.6A（Ta）， 13.7A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A（Ta）， 13.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 186 毫欧 @ 12A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD18DP10LMATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.5A（Ta）， 13.9A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta）， 13.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 178 毫欧 @ 13A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2100 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPB19DP10NMATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.9A（Ta）， 13.8A（Tc） 3.8W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A（Ta）， 13.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 185 毫欧 @ 12A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IMZA65R072M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 650 V 28A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-4-3
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 94 毫欧 @ 13.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-3
封装/外壳: TO-247-4
AIMBG120R060M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 38A（Tc） 202W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 13A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 880 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 202W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA