INFINEON TECHNOLOGIES
BC857BWH6327XTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 PG-SOT323
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 220 @ 2mA，5V
功率 - 最大值: 250 mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: PG-SOT323
CY7C1515KV18-333BZXC
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
简介: SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 72Mb 并联 333 MHz 165-FBGA（13x15）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 同步，QDR II
存储容量: 72Mb
存储器组织: 2M x 36
存储器接口: 并联
时钟频率: 333 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 165-LBGA
供应商器件封装: 165-FBGA（13x15）
IPW65R190C7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 650 V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 290µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1150 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 72W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3
封装/外壳: TO-247-3
