INFINEON TECHNOLOGIES
FZ400R12KE3B1HOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 单路 1200 V 650 A 2250 W 底座安装 模块
IGBT 类型: -
配置: 单路
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 650 A
功率 - 最大值: 2250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，400A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FZ400R12KE3HOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 单路 1200 V 650 A 2250 W 底座安装 模块
IGBT 类型: -
配置: 单路
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 650 A
功率 - 最大值: 2250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，400A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
S80KS5123GABHV023
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
简介: PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 512Mb SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: PSRAM
技术: PSRAM（伪 SRAM）
存储容量: 512Mb
存储器组织: 64M x 8
存储器接口: SPI - 八 I/O
时钟频率: 200 MHz
写周期时间 - 字，页: 35ns
访问时间: 35 ns
电压 - 供电: 1.7V ~ 2V
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 24-VBGA
供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）
S25FL512SAGMFVG11
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
数据:
简介: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 16-SOIC
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 512Mb
存储器组织: 64M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O
时钟频率: 133 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC
