INFINEON TECHNOLOGIES
SPW32N50C3FKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 560 V 32A（Tc） 284W（Tc） PG-TO247-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 1.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4200 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 284W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
封装/外壳: TO-247-3
SPP80N06S2-H5
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 55 V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3