INFINEON TECHNOLOGIES
技术: 霍尔效应
轴: 单路
输出类型: SENT
感应范围: ±50mT，±100mT，±200mT
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
电流 - 供电（最大值）: 8mA
电流 - 输出（最大值）: 5mA
分辨率: 16 b
带宽: 可编程
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
特性: 可选数值范围，温度补偿型
供应商器件封装: PG-SSO-3-92
安装类型: 通孔
封装/外壳: 3-SSIP 模块
IPB025N10N3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 206 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14800 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TLE72742DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 300mA PG-TO252-3
输出配置: 正
输出类型: 固定
稳压器数: 1
电压 - 输入（最大值）: 42V
电压 - 输出（最小值/固定）: 5V
电压 - 输出（最大值）: -
电压降（最大值）: 0.5V @ 200mA
电流 - 输出: 300mA
电流 - 静态 (Iq): 30 µA
电流 - 供电（最大值）: 40 µA
PSRR: 60dB（100Hz）
控制特性: -
保护功能: 过流，超温，短路
工作温度: -40°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
TLE72722DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 300mA PG-TO252-5
输出配置: 正
输出类型: 固定
稳压器数: 1
电压 - 输入（最大值）: 42V
电压 - 输出（最小值/固定）: 5V
电压 - 输出（最大值）: -
电压降（最大值）: 0.5V @ 200mA
电流 - 输出: 300mA
电流 - 静态 (Iq): 30 µA
电流 - 供电（最大值）: 40 µA
PSRR: 60dB（100Hz）
控制特性: 使能，复位
保护功能: 过流，超温，短路
工作温度: -40°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
供应商器件封装: PG-TO252-5
TLE42744DV50ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 400mA PG-TO252-3
输出配置: 正
输出类型: 固定
稳压器数: 1
电压 - 输入（最大值）: 40V
电压 - 输出（最小值/固定）: 5V
电压 - 输出（最大值）: -
电压降（最大值）: 0.5V @ 250mA
电流 - 输出: 400mA
电流 - 静态 (Iq): 220 µA
电流 - 供电（最大值）: 30 mA
PSRR: 60dB（100Hz）
控制特性: -
保护功能: 过流，超温，反极性，短路
工作温度: -40°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
BSR802NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC59-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 3.7A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 750mV @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.7 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1447 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SC59-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BGB741L7ESDE6327XTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 微波半导体集成电路 / 放大器
简介: 射频放大器 IC 手机，RKE，WiFi 50MHz ~ 3.5GHz PG-TSLP-7-1
频率: 50MHz ~ 3.5GHz
P1dB: -6.5dBm
增益: 19.5dB
噪声系数: 1dB
射频类型: 手机，RKE，WiFi
电压 - 供电: 1.8V ~ 4V
电流 - 供电: 30mA
测试频率: 1.5GHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFDFN 祼焊盘
供应商器件封装: PG-TSLP-7-1
BSS316NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 160 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 94 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS306NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 57 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 275 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS205NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 419 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3