INFINEON TECHNOLOGIES
XC866L4FRA3VBEKXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
简介: XC800 XC8xx 微控制器 IC 8 位 25MHz 16KB（16K x 8） 闪存 PG-TSSOP-38
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: XC800
内核规格: 8 位
速度: 25MHz
连接能力: LINbus，SSI，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，POR，PWM，WDT
I/O 数: 27
程序存储容量: 16KB（16K x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 768 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
数据转换器: A/D 8x10b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 150°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSSOP-38
封装/外壳: 38-TFSOP（0.173，4.40mm 宽）
BGF108LE6328
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: LC EMI 滤波器 5th 订单 低通 7 通道 C = 28pF（总计） 25 mA 18-UFBGA
类型: 低通
滤波器阶数: 5th
技术: LC
通道数: 7
中心/截止频率: -
衰减值: 45dB @ 800MHz ~ 2.2GHz
电阻 - 通道 (欧姆): 90
电流: 25 mA
数值: C = 28pF（总计）
ESD 保护: 是
工作温度: -40°C ~ 85°C
应用: 移动设备的数据线路
电压 - 额定: 5V
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 18-UFBGA
大小 / 尺寸: 0.083 长 x 0.067 宽（2.10mm x 1.70mm）
高度: 0.026（0.65mm）
IPB054N08N3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4750 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPP057N08N3GHKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 80 V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4750 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
IPI057N08N3G
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 80 V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4750 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
TLE8444SLXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
简介: 双极性，单极 电机驱动器 BiCDMOS 并联 PG-SSOP-24-7
电机类型 - 步进: 双极性，单极
电机类型 - AC，DC: 有刷直流
功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置: 半桥（4）
接口: 并联
技术: BiCDMOS
步进分辨率: -
应用: -
电流 - 输出: 1A
电压 - 供电: 8V ~ 18V
电压 - 负载: 8V ~ 18V
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 24-SSOP（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: PG-SSOP-24-7
BCR450E6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 开关电源电路
简介: LED 驱动器 IC 1 输出 线性 PWM 调光 85mA PG-SC74-6
类型: 线性
拓扑: -
内部开关: 是
输出数: 1
电压 - 供电（最低）: 8V
电压 - 供电（最高）: 27V
电压 - 输出: 6V
电流 - 输出/通道: 85mA
频率: 1MHz
调光: PWM
应用: 照明，标牌
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74，SOT-457
供应商器件封装: PG-SC74-6
BTS50302EKAXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 4A PG-DSO-14-40-EP
开关类型: 电源开关
输出数: 2
比率 - 输入:输出: 1：1
输出配置: 高端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
电压 - 负载: 5V ~ 28V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出（最大值）: 4A
导通电阻（典型值）: 30 毫欧
输入类型: 非反相
特性: 带有自动重启功能
故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温，过压
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-DSO-14-40-EP
封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）祼焊盘
FF450R12ME4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 675 A 2250 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 675 A
功率 - 最大值: 2250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
