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INFINEON TECHNOLOGIES

BSC050N10NS5ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 16A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TDSON-8-7

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 72µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TDSON-8-7 封装/外壳: 8-PowerTDFN

AUIRF4905S

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 P 通道 55 V 42A（Tc） 200W（Tc） D2PAK

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 180 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3500 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 200W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

CY9AF115MAPMC-GNE2

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)

简介: ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9A110A 微控制器 IC 32-位 40MHz 384KB（384K x 8） 闪存 80-LQFP（12x12）

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M3 内核规格: 32-位 速度: 40MHz 连接能力: CSIO，EBI/EMI，I2C，LINbus，SPI，UART/USART 外设: DMA，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 66 程序存储容量: 384KB（384K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 32K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 12x12b SAR 振荡器类型: 外部，内部 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 80-LQFP（12x12） 封装/外壳: 80-LQFP

IRS44273LTRPBF

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器

简介: 低端 栅极驱动器 IC 非反相 SOT-23-5

DigiKey 可编程: 未验证 驱动配置: 低端 通道类型: 单路 驱动器数: 1 栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道） 电压 - 供电: 10.2V ~ 20V 逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 1.5A，1.5A 输入类型: 非反相 上升/下降时间（典型值）: 25ns，25ns 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74A，SOT-753 供应商器件封装: SOT-23-5

CY8C3666AXI-052T

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)

简介: 8051 null 微控制器 IC 8 位 67MHz 64KB（64K x 8） 闪存 100-TQFP（14x14）

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: 8051 内核规格: 8 位 速度: 67MHz 连接能力: EBI/EMI，I2C，LINbus，SPI，UART/USART 外设: 电容感应，DMA，POR，PWM，WDT I/O 数: 62 程序存储容量: 64KB（64K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: 2K x 8 RAM 大小: 8K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x12b; D/A 4x8b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 100-TQFP（14x14） 封装/外壳: 100-LQFP

IPT60R125G7XTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8-2

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 125 毫欧 @ 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1080 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-HSOF-8-2 封装/外壳: 8-PowerSFN

BFP183WH6327XTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: RF 晶体管 NPN 12V 65mA 8.5GHz 450mW 表面贴装型 PG-SOT343-3D

晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V 频率 - 跃迁: 8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 22dB 功率 - 最大值: 450mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 15mA，8V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 65mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-82A，SOT-343 供应商器件封装: PG-SOT343-3D

BFP183E7764HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: RF 晶体管 NPN 12V 65mA 8GHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT-143-3D

晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V 频率 - 跃迁: 8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 22dB 功率 - 最大值: 250mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 15mA，8V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 65mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装: PG-SOT-143-3D

BFP183WE6327BTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: RF 晶体管 NPN 12V 65mA 8GHz 450mW 表面贴装型 PG-SOT343-3D

晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V 频率 - 跃迁: 8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 22dB 功率 - 最大值: 450mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 15mA，8V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 65mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-82A，SOT-343 供应商器件封装: PG-SOT343-3D

S25HL512TFAMHI013

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O，QPI 166 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR（SLC） 存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 166 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC