INFINEON TECHNOLOGIES
SPW20N60C3FKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 650 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 208W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
封装/外壳: TO-247-3
IMBF170R450M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1700 V 9.8A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-7-13
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450毫欧 @ 2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11 nC @ 12 V
Vgs（最大值）: +20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 610 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 107W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-13
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IGLT65R035D2ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 47A（Tc） 154W（Tc） PG-HDSOP-16-8
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 42 毫欧 @ 13A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.6V @ 4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.7 nC @ 3 V
Vgs（最大值）: -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 154W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-16-8
封装/外壳: 16-PowerSOP 模块
IGT65R035D2ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 49A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 42 毫欧 @ 13A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.6V @ 4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.7 nC @ 3 V
Vgs（最大值）: -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 167W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8
封装/外壳: 8-PowerSFN
IMZ120R060M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1200 V 36A（Tc） 150W（Tc） PG-TO247-4-1
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 5.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-1
封装/外壳: TO-247-4
IMT40R011M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 400 V 13.4A（Ta），144A（Tc） 3.8W（Ta），429W（Tc） PG-HSOF-8-2
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.4A（Ta），144A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 37.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 85 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3770 pF @ 200 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），429W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-2
封装/外壳: 8-PowerSFN
IMCQ120R007M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V PG-HDSOP-22
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 257A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5mOhm @ 93A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 29.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 197.2 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8440 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1172W (Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
IPN50R1K4CEATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 500 V 4.8A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 欧姆 @ 900mA，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 178 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 5W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-3
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA