INFINEON TECHNOLOGIES
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 半桥
通道类型: 同步
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH: 1.1V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: CB，cCSAus，CE，CQC，TUV
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 650 V
上升/下降时间（典型值）: 100ns，35ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: PG-DSO-14-49
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.95 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 74µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5250 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8 FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
ISC300N20NM6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 表面贴装型 N 通道 200 V 6.5A（Ta），44A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TDSON-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 27 毫欧 @ 24A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 56µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC074N15NS5ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 150 V 114A（Tc） 214W（Tc） PG-TSON-8-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.6V @ 136µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4000 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 214W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: PG-TSON-8-3
封装/外壳: 8-PowerTDFN
IPP069N20NM6AKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 通孔 N 通道 200 V 15.3A（Ta），136A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） PG-TO220-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.3A（Ta），136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.3 毫欧 @ 100A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 258µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7400 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
IPD90N10S4L06ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.6 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6250 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-313
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD90N10S406ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.7 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4870 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-313
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSC033N08NS5SCATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 144A（Tc） 136W（Tc） PG-WSON-8-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 144A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 76µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4600 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-WSON-8-2
封装/外壳: 8-PowerWDFN