INFINEON TECHNOLOGIES
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 70 毫欧 @ 20.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.72mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4750 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 391W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3
封装/外壳: TO-247-3
IPP029N06NXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 通孔 N 通道 60 V 100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO220-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5125 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
IPI029N06NAKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 通孔 N 通道 60 V 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4100 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IPB026N06NATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 25A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4100 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 68A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.6V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5300 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-3
封装/外壳: TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
AIMBG120R080M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 30.6A（Tc） 168W（Tc） PG-TO263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 671 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 168W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPQC65R017CFD7AXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 136A（Tc） 694W（Tc） PG-HDSOP-22
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 61.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 236 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12338 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 694W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
IPDQ65R017CFD7XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 136A（Tc） 694W（Tc） PG-HDSOP-22-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 61.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 236 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12338 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 694W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块