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FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 840 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 182W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1 封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 750 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 142W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO247-4-U02 封装/外壳: TO-247-4

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 132A（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 78µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4559 pF @ 40 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TDSON-8-34 封装/外壳: 8-PowerTDFN