INFINEON TECHNOLOGIES

CY8CPROTO-062-4343W

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 电气电子组件、板和卡

简介: CYW4343W,PSOC 6 null 802.11 b/g/n(WiFi/WLAN/Wi-Fi 4),Bluetooth® 智能 4.x 低功耗(BLE) 收发器 2.4GHz 评估板

频率: 2.4GHz 内含物: 板,电缆 天线类型: - 使用的 IC/零件: CYW4343W,PSOC 6

BSS123IXTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 190mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT-23-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 @ 190mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.63 nC @ 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 500mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-SOT-23-3 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

MMBT2222ALT1HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BCX42E6327HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR

BCX42E6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR

CY62128ELL-55ZAXE

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 55 ns 32-sTSOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 125°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-TFSOP(0.465,11.80mm 宽) 供应商器件封装: 32-sTSOP

IAUMN04S7N005GAUMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 250A(Tj) 240W(Tc) PG-HSOG-4-1

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.5 毫欧 @ 125A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC @ 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12674 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 240W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-HSOG-4-1 封装/外壳: 4-PowerSFN

KP264XTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 敏感元器件和传感器(件) / 传感器件 / 力学量传感器件 / 压力传感器件

简介: 绝对 压力 压力传感器5.8PSI ~ 16.68PSI(40kPa ~ 115kPa) 10 b 8-SMD 模块

压力类型: 绝对 工作压力: 5.8PSI ~ 16.68PSI(40kPa ~ 115kPa) 输出类型: SPI 输出: 10 b 精度: ±0.435PSI(±3kPa) 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 端口尺寸: - 端口样式: 无端口 特性: 温度补偿 端接样式: SMD(SMT)接片 最高压力: - 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD 模块 供应商器件封装: -

FS35R12W1T4_B11

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: IGBT 模块 IGBT Module 35A 1200V

FS25R12W1T4_B11

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: IGBT 模块 IGBT Module 25A 1200V