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ROHM SEMICONDUCTOR

RH7G03BBJFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 22A（Tc） 33W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 49 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 660 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 33W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

RH7G04CBJFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Tc） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1850 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 62W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

AG543EGS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 28A（Tc） 36W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 46 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 660 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 36W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669

AG166FNH7FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 40A（Ta） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.2 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 960 pF @ 40 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 62W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

RH7G04BBKFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26.8 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1750 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

AG542EGS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 67A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 67A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1710 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669

RH7P04BBKFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.8mOhm @ 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.8 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1030 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

RH7L04BBJFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 60 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2660 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

RH7P04BBLFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18.2 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1170 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

AG541EGS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.9 毫欧 @ 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 96 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5100 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669