ROHM SEMICONDUCTOR
AG160FNS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3910 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG040FGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4660 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG145FLS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4310 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4930 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4390 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
RS4P063BPHZGTCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类:
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 34A（Ta），120A（Tc） 384W（Ta） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A（Ta），120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.3 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 8.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3590 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 384W（Ta）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 690 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.5 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 6.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2690 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
RY7P250BMTBC
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 250A（Ta），300A（Tc） 340W（Tc） DFN8080T8LSHAAI
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250A（Ta），300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.86mOhm @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15900 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 340W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN8080T8LSHAAI
封装/外壳: 8-PowerTDFN
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 49 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 660 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 33W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN