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ROHM SEMICONDUCTOR

AG511EGH7FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Tc） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1850 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 62W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

RH7P02BBJFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 100 V 21A（Tc） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 136 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 3.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1330 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 62W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

AG510EGH7FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.9mOhm @ 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2670 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

AG162FNS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 79A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.2 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 960 pF @ 40 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669

RH7G04BBJFRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Ta） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.9mOhm @ 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2670 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN3333T8LSAB 封装/外壳: 8-PowerTDFN

AG042FGS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.1 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1050 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 75W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669

AG046FLS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 296µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3090 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669

AG051FPS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.2 毫欧 @ 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2010 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669

AG161FNS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2880 pF @ 40 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669

AG540EGS4FRATCB

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.6 毫欧 @ 120A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 130 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +5V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6750 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH 封装/外壳: SC-100，SOT-669