TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
CLS10F40,L3F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 CL2E
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 570 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 130pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402（1006 公制）
供应商器件封装: CL2E
工作温度 - 结: 150°C
TB67S101AFNG,EL
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
简介: 双极性 电机驱动器 功率 MOSFET 并联 48-HTSSOP
电机类型 - 步进: 双极性
电机类型 - AC，DC: -
功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置: 半桥（4）
接口: 并联
技术: 功率 MOSFET
步进分辨率: 1，1/2，1/4
应用: 通用
电流 - 输出: 3A
电压 - 供电: 4.75V ~ 5.25V
电压 - 负载: 10V ~ 47V
工作温度: -20°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 48-TFSOP（0.240，6.10mm 宽）祼焊盘
供应商器件封装: 48-HTSSOP
TCR3DG25,LF
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 300mA 4-WCSPE（0.65x0.65）
输出配置: 正
输出类型: 固定
稳压器数: 1
电压 - 输入（最大值）: 5.5V
电压 - 输出（最小值/固定）: 2.5V
电压 - 输出（最大值）: -
电压降（最大值）: 0.275V @ 300mA
电流 - 输出: 300mA
PSRR: 70dB（1kHz）
控制特性: 使能
保护功能: 过流，超温
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-XFBGA，CSPBGA
供应商器件封装: 4-WCSPE（0.65x0.65）
TK19A50W,S5X
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 500 V 18.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 7.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.7V @ 790µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1350 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 40W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220SIS
封装/外壳: TO-220-3 整包
TLP183(BL-TPL,E
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 6-SOP
通道数: 1
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比（最小值）: 200% @ 5mA
电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs
上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs
输入类型: DC
输出类型: 晶体管
电压 - 输出（最大值）: 80V
电流 - 输出/通道: 50mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA
Vce 饱和压降（最大）: 300mV
等级: -
资质: -
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SOIC（0.173，4.40mm 宽），4 引线
供应商器件封装: 6-SOP
TLP293(GB-TPL,E
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
数据:
简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 4-SO
通道数: 1
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA
电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs
上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs
输入类型: DC
输出类型: 晶体管
电压 - 输出（最大值）: 80V
电流 - 输出/通道: 50mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA
Vce 饱和压降（最大）: 300mV
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-SOIC（0.179，4.55mm 宽）
供应商器件封装: 4-SO
TLP183(GB-TPL,E
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 6-SOP
通道数: 1
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA
电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs
上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs
输入类型: DC
输出类型: 晶体管
电压 - 输出（最大值）: 80V
电流 - 输出/通道: 50mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA
Vce 饱和压降（最大）: 300mV
等级: -
资质: -
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SOIC（0.173，4.40mm 宽），4 引线
供应商器件封装: 6-SOP
TLP293(BL-TPL,E
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
数据:
简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 4-SO
通道数: 1
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比（最小值）: 200% @ 5mA
电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs
上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs
输入类型: DC
输出类型: 晶体管
电压 - 输出（最大值）: 80V
电流 - 输出/通道: 50mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA
Vce 饱和压降（最大）: 300mV
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-SOIC（0.179，4.55mm 宽）
供应商器件封装: 4-SO
TLP292(TPL,E
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 4-SO
通道数: 1
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比（最小值）: 50% @ 5mA
电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs
上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs
输入类型: AC，DC
输出类型: 晶体管
电压 - 输出（最大值）: 80V
电流 - 输出/通道: 50mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA
Vce 饱和压降（最大）: 300mV
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-SOIC（0.179，4.55mm 宽）
供应商器件封装: 4-SO
TLP182(BL-TPL,E
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 6-SOP
通道数: 1
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比（最小值）: 200% @ 5mA
电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs
上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs
输入类型: AC，DC
输出类型: 晶体管
电压 - 输出（最大值）: 80V
电流 - 输出/通道: 50mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA
Vce 饱和压降（最大）: 300mV
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SOIC（0.173，4.40mm 宽），4 引线
供应商器件封装: 6-SOP