TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
TRS4A65F,S1Q
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 650 V 4A 通孔 TO-220F-2L
技术: SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 4 A
速度: 零恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容: 16pF @ 650V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商器件封装: TO-220F-2L
工作温度 - 结: 175°C（最大）
SSM6J511NU,LF
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 12 V 14A（Ta） 6-UDFNB（2x2）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.1 毫欧 @ 4A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3350 pF @ 6 V
FET 功能: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-UDFNB（2x2）
封装/外壳: 6-WDFN 祼焊盘
TC4013BP(N,F)
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路
简介: 触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-DIP（0.300，7.62mm）
功能: 复位
类型: D 型
输出类型: 补充型
元件数: 2
每个元件位数: 1
时钟频率: 20 MHz
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 90ns @ 15V，50pF
触发器类型: 正边沿
电流 - 输出高、低: 3.4mA，3.4mA
电压 - 供电: 3V ~ 18V
电流 - 静态 (Iq): 120 µA
输入电容: 5 pF
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: 14-DIP
封装/外壳: 14-DIP（0.300，7.62mm）
逻辑类型: D 型锁存器
电路: 8：8
输出类型: 三态
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
独立电路: 1
延迟时间 - 传播: 8.5ns
电流 - 输出高、低: 8mA，8mA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装: 20-TSSOP
TK100A10N1,S4X
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 100 V 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220SIS
封装/外壳: TO-220-3 整包
TK065Z65Z,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类:
简介: 通孔 N 通道 650 V 38A（Ta） 270W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 65 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.69mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3650 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 270W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
TK62Z60X,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类:
简介: 通孔 N 通道 600 V 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 61.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 3.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6500 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 400W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
TK110Z65Z,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类:
简介: 通孔 N 通道 650 V 24A（Ta） 190W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.02mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2250 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
TK31Z60X,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类:
简介: 通孔 N 通道 600 V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 88 毫欧 @ 9.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3000 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 230W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
TK090Z65Z,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类:
简介: 通孔 N 通道 650 V 30A（Ta） 230W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.27mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2780 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 230W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4