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T640N18TOF

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管

V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1800.0V I[TSM]: 8000.0A I[TAVM]: 644 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 48mm height 14mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 644/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8000.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 320.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 2.15/2.4 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.8 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.5 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 39.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 12.0

T830N14TOF

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管

V[DRM]/ V[RRM (V)]: 1400.0V I[TSM]: 12500.0A I[TAVM]: 826 (180 ° el sin) Configuration: Electrical Triggered Phase Control Thyristor Housing: Disc dia 58mm height 14mm / Ceramic V[DRM] / V[RRM] [V]: 1400.0 I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 844/85 I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12500.0 ∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 781.0 V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max): 1.94/3.0 V[T0] [V](@T[vj max]) max: 0.85 r[T] [mΩ](@T[vj max]) max: 0.3 t[q] [µs]: 250.0 R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max: 30.0 T[vj] [°C] max: 125.0 Clamping force [kn] max: 18.0

T607101564BT

制造商: POWEREX INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管

描述: SCR 1 kV 235 A 标准恢复型底座，接线柱安装 TO-93

电压 - 断态: 1 kV 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 3 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电压 - 通态 (Vtm)（最大值）: 2.1 V 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 150 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 235 A 电流 - 断态（最大值）: 25 mA 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 4000A @ 60Hz SCR 类型: 标准恢复型工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 底座，接线柱安装封装/外壳: TO-209AB，TO-93-4，接线柱供应商器件封装: TO-93

BT136S-800E,118

制造商: WEEN SEMICONDUCTORS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管

描述: TRIAC 逻辑 - 灵敏栅极 800 V 4 A 表面贴装型 DPAK

双向可控硅类型: 逻辑 - 灵敏栅极电压 - 断态: 800 V 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 4 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 25A，27A 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 10 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 15 mA 配置: 单路工作温度: 125°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 供应商器件封装: DPAK