T640N18TOF

制造商:

分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管

物料参数

V[DRM]/ V[RRM (V)]:1800.0V
I[TSM]:8000.0A
I[TAVM]:644 (180 ° el sin)
Configuration:Electrical Triggered Phase Control Thyristor
Housing:Disc dia 48mm height 14mm / Ceramic
V[DRM] / V[RRM] [V]:1800.0
I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin):644/85
I[TSM] [A](@10ms, Tvj max):8000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max):320.0
V[T]/I[T] [V/kA](@Tvj max):2.15/2.4
V[T0] [V](@T[vj max]) max:0.8
r[T] [mΩ](@T[vj max]) max:0.5
t[q] [µs]:250.0
R[thJC] [K/kW](@180° el sin) max:39.0
T[vj] [°C] max:125.0
Clamping force [kn] max:12.0
无库存
库存数量:0
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