IDWD50G120C5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管
描述: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package
I[(FSM)] max: 330.0A
I[R]: 26.0µA
P[tot] max: 500.0W
Q[C]: 223.0nC
Qualification: Industrial
R[thJC]: 0.23K/W
V[F]: 1.45V
I[F] max: 131.0A
Package: PG-TO247-2
BAW156-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阳极 85 V 140mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 85 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 140mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 50 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA @ 75 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
VS-VSKJ7112
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阳极 1200 V 40A 底座安装 ADD-A-PAK（3）
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 40A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 mA @ 1200 V
工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: ADD-A-PAK（3）
供应商器件封装: ADD-A-PAK®
MBR6045WT
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: -
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD
VS-MBR6045WT-N3
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
VS-MBR6045WTPBF
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
MBR6045WT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
MBR6045WT
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
BAT54C,235
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB