1N5239BTR
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5239BTRPBFREE
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5239B-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
1N5239B-T
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5239BTR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
JANTX1N4122UR-1
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 36 V 500 mW ±5% 表面贴装型 DO-213AA
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 36 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 nA @ 27.4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500/435
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
JANTX1N4122UR-1TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 36 V 500 mW ±5% 表面贴装型 DO-213AA
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 36 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 nA @ 27.4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500/435
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
1SMB5928B-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 13 V 3 W ±5% 表面贴装型 SMB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 9.9 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: SMB
UDZVFHTE-1718B
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 18 V 200 mW ±2.19% 表面贴装型 UMD2
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V
容差: ±2.19%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 65 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 13 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: UMD2
1N4740A-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）