1N4740A-TAP
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N4740ATRPBFREE
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740A,113
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740A,133
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740A
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740A_T50R
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740A-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41G
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41G
1N4740ABKPBFREE
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740ABKTINLEAD
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740A-T
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41