1N4740AP-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740AH
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 9 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 9.1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N4740A
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740ADO41E3
制造商: MICROSEMI CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N4740AUR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB
1N4740AG
制造商: MICROSEMI CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N4740AGE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
1N4740AGE3TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N4740AURTR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB