1N4740AUR-1
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB（MELF，LL41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB（MELF，LL41）
1N4740AUR-1TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB（MELF，LL41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB（MELF，LL41）
1N5231BTR
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5231B-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
1N5231BTRPBFREE
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5231BTR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
1N5231B
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5231B-T
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 51 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 5 W
阻抗（最大值）(Zzt): 27 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 38.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 1 A
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: T-18，轴向
供应商器件封装: 轴向
状态: Lifetime 相似产品推荐
Compliance: Pb A H P
VZ Typ (V): 5.6
P Max (W): 1
Package Type: Axial Lead / DO-41
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: N
Reference Price: $0.0468