BZX384-B51,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 51 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 51 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 180 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 35.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZX384-B51-QX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 51 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 51 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 180 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 35.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
1N5242B-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 9.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
BZT52C12-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C12S_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C12T-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
BZT52C12
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 35 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
BZT52C12-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12SHE3-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323